طراحی گیتهای منطقی با استفاده از ترانزیستورهای مبتنی بر نانو تیوبهای کربنی

thesis
abstract

در این پایان نامه به تحلیل و شبیه سازی مدارهای مبتنی بر نانولوله های کربنی پرداخته ایم. به علت ابعاد کوچک در حد نانومتر در ادوات مبتنی بر نانولوله های کربنی پارامترهای توان مصرفی و تأخیر در این مدارات کاهش می یابد. تحلیل و شبیه سازی مدارات مبتنی بر ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی از اهمیت به سزایی برخوردار است.

similar resources

استفاده از نانو کامپوزیت‌های کربنی در طراحی جاذب‌های الکترومغناطیسی پهن‌باند

در حالت عادی ترکیبات کربن دارای جذب الکتریکی بالایی در محدوده باند فرکانسی مایکروویو می‌باشند. بمنظور افزایش جذب مغناطیسی این ترکیبات، نانو ذرات ناخالصی مانند فریت‌ها، سنداست‌ها و ذرات فلزی به آن‌ها افزوده می‌شود. در این مقاله با بکارگیری نانو کامپوزیت‌های کربنی یک ساختار جاذب الکترومغناطیسی معرفی شده است. این جاذب بصورت چندلایه و در محدوده باند X مایکروویو (GHz4/12-2/8) با استفاده از خواص الکت...

full text

طراحی و شبیه سازی گیتهای منطقی مبتنی بر دیودهای اثر میدانی نانومتری با اتصالات جانبی

طراحی گیتهای منطقی با استفاده از قطعات جدید اثر میدانی به نام دیودهای اثر میدانی

طراحی و بهینه‌سازی یک تمام جمع‌کنندۀ تقریبی مبتنی بر ترانزیستورهای نانولولۀ کربنی و بررسی کاربرد آن در پردازش تصویر دیجیتال

با توجه به افزایش چشمگیر حجم داده‌های پردازشی و نیاز به سرعت بیشتر در پردازش آنها، به استفاده از روش‌های نوین در طراحی مدارهای دیجیتال توجه شده است. نظر به اهمیت مصرف توان در وسایل الکترونیکی، طراحی مدارهایی ضروری است که به کاهش مصرف توان، مساحت و نیز افزایش سرعت پردازنده‌ها منجر شود. استفاده از محاسبات تقریبی در کنار ترانزیستورهای نانولولۀ کربنی، یکی از روش‌های مطرح‌شده در این حوزه است. با توج...

full text

یک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

full text

یک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

full text

اندازه‌ﮔﻴری فوﻟﻴﮏ اﺳﻴﺪ توسط حسگر الکتروشیمیایی مبتنی بر نانو ذرات کربنی/نانو ﻓﻴﺒر سلولز

در کار حاضر، یک حسگر الکتروشیمیایی برای داروی فولیک اسید توسط نشاندن سوسپانسیون نانو رشته‌های سلولزی/نانو ذرات کربنی (CNFs/CNPs) بر روی الکترود کربن شیشه‌ای ساخته شد. ترکیب نانو رشته‌های سلولزی با نانو ذرات کربنی منجر به تولید نوع جدیدی از نانو کامپوزیت‌های فعال الکتروشیمیایی شد. سطح لایه‌ی نانو رشته‌های سلولزی/نانو ذرات کربنی نشانده شده بر الکترود کربن شیشه‌ای توسط تکنیک میکروسکوپی نیروی اتمی ...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده برق و الکترونیک

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023